- 由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。
- 它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
- 在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。
- m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。
- 阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.
- 由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。
- 对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。
- 通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
- 其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。
- 实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。
- 第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。