沟道

【gōu dào】

拆字

沟道

英文翻译

groove

造句

1. 它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
2. MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
3. 提出了近北远南、截流沟道、河滩漫流、排口分级管理的新观点。
4. 经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。
5. 传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在平面硅基片上的沟道中的流动。
6. 特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。
7. 泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。
8. 产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。
9. 为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
10. 被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.
11. 沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。
12. 最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。
13. 高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。
14. 文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。
15. 带电粒子在晶体中的运动会受到沟道效应和阻塞效应的强烈影响。
16. 模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。
17. 介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。
18. 湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。
19. 第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，zaojv。com并用仿真软件进行了仿真验证。
20. 绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。
21. 由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。
22. 它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
23. 在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。
24. m时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风险加大。
25. 阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.
26. 由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。
27. 对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。
28. 通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
29. 其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。
30. 实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致，晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。
31. 第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

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