- MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。
- 为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。
- 它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
- 对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。
- 通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
- 其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。