【亚微米】造句

通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
这种变异无法避免而且在深亚微米领域，受限于光刻分辨率；氧化层腐蚀造成厚度的改变，因化学机械抛光铜金属线使铜金属层所造成的不平坦碟型缺陷等种种因素变得更加严重。
通过优化脊形波导的结构参数可以降低脊形波导激光器的阈值电流，提出了实现亚微米脊宽，从而降低阈值电流的方法。