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  1. 提出了一种简化的区熔再结晶方法,利用这种方法在非硅衬底获得了晶粒尺寸达到毫米级、致密的籽晶层。
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  3. 其做法是在纳米级氧化硅透明衬底上生长氮化硅波导,衬底的折射率远小于波导。
  4. 同时,该滤波器的峰值透射率会随衬底厚度的变化而呈现快速的周期性振荡。
  5. 结果表明,射频功率的改变直接影响到离子对衬底的轰击效应,而反应气压的改变影响气体分子的平均自由程。
  6. 采用反应离子刻蚀,各向异性化学腐蚀及自限制热氧化过程在SOI衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。
  7. 采用二阶温度补偿和电流反馈技术,设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。